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IXTN320N10T

IXTN320N10T

僅供參考

型號 IXTN320N10T
PNEDA編號 IXTN320N10T
描述 MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTN320N10T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTN320N10T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTN320N10T, IXTN320N10T數據表 (總頁數: 5, 大小: 162.77 KB)
PDFIXTN320N10T數據表 封面
IXTN320N10T數據表 頁面 2 IXTN320N10T數據表 頁面 3 IXTN320N10T數據表 頁面 4 IXTN320N10T數據表 頁面 5

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IXTN320N10T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)320A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)680W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

411nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13703pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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