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IXTN550N055T2

IXTN550N055T2

僅供參考

型號 IXTN550N055T2
PNEDA編號 IXTN550N055T2
描述 MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTN550N055T2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTN550N055T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTN550N055T2, IXTN550N055T2數據表 (總頁數: 6, 大小: 178.44 KB)
PDFIXTN550N055T2數據表 封面
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IXTN550N055T2規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™, TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)550A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs595nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds40000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)940W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

710mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

690mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

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