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IXTN90N25L2

IXTN90N25L2

僅供參考

型號 IXTN90N25L2
PNEDA編號 IXTN90N25L2
描述 MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTN90N25L2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTN90N25L2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTN90N25L2, IXTN90N25L2數據表 (總頁數: 5, 大小: 129.24 KB)
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IXTN90N25L2數據表 頁面 2 IXTN90N25L2數據表 頁面 3 IXTN90N25L2數據表 頁面 4 IXTN90N25L2數據表 頁面 5

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IXTN90N25L2規格

制造商IXYS
系列Linear L2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs640nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds23000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)735W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 5A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

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95W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

375pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

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