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IXTP05N100P

IXTP05N100P

僅供參考

型號 IXTP05N100P
PNEDA編號 IXTP05N100P
描述 MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP05N100P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP05N100P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTP05N100P規格

制造商IXYS
系列Polar™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds196pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 25V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

FET功能

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功耗(最大值)

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