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IXTP1N80P

IXTP1N80P

僅供參考

型號 IXTP1N80P
PNEDA編號 IXTP1N80P
描述 MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP1N80P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP1N80P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTP1N80P, IXTP1N80P數據表 (總頁數: 5, 大小: 161.96 KB)
PDFIXTP1N80P數據表 封面
IXTP1N80P數據表 頁面 2 IXTP1N80P數據表 頁面 3 IXTP1N80P數據表 頁面 4 IXTP1N80P數據表 頁面 5

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IXTP1N80P規格

制造商IXYS
系列Polar™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

CSD25501F3T

Texas Instruments

制造商

系列

FemtoFET™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

76mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.05V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

385pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

3-LGA (0.73x0.64)

包裝/箱

3-XFLGA

IPB048N06LGATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

225nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

102A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

455W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-3P

包裝/箱

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制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.3A (Ta), 47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

993pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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