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IXTP24N15T

IXTP24N15T

僅供參考

型號 IXTP24N15T
PNEDA編號 IXTP24N15T
描述 MOSFET N-CH 150V 24A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP24N15T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP24N15T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTP24N15T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

336mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

360W (Tc)

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35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1035pF @ 700V

FET功能

-

功耗(最大值)

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