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IXTQ160N075T

IXTQ160N075T

僅供參考

型號 IXTQ160N075T
PNEDA編號 IXTQ160N075T
描述 MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ160N075T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ160N075T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ160N075T, IXTQ160N075T數據表 (總頁數: 5, 大小: 184.33 KB)
PDFIXTQ160N075T數據表 封面
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IXTQ160N075T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs112nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4950pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

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-

功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

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