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IXTQ44N50P

IXTQ44N50P

僅供參考

型號 IXTQ44N50P
PNEDA編號 IXTQ44N50P
描述 MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ44N50P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ44N50P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ44N50P, IXTQ44N50P數據表 (總頁數: 5, 大小: 114.02 KB)
PDFIXTQ44N50P數據表 封面
IXTQ44N50P數據表 頁面 2 IXTQ44N50P數據表 頁面 3 IXTQ44N50P數據表 頁面 4 IXTQ44N50P數據表 頁面 5

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IXTQ44N50P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs98nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5440pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)658W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5137pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

260A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

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