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IXTQ50N20P

IXTQ50N20P

僅供參考

型號 IXTQ50N20P
PNEDA編號 IXTQ50N20P
描述 MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ50N20P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ50N20P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ50N20P, IXTQ50N20P數據表 (總頁數: 5, 大小: 158.22 KB)
PDFIXTA50N20P數據表 封面
IXTA50N20P數據表 頁面 2 IXTA50N20P數據表 頁面 3 IXTA50N20P數據表 頁面 4 IXTA50N20P數據表 頁面 5

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IXTQ50N20P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2720pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

330mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 330mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.57nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

78pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

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70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 27A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 13.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1526pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

262W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

720mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

204W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-262

包裝/箱

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