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IXTQ52N30P

IXTQ52N30P

僅供參考

型號 IXTQ52N30P
PNEDA編號 IXTQ52N30P
描述 MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ52N30P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ52N30P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ52N30P, IXTQ52N30P數據表 (總頁數: 5, 大小: 133.07 KB)
PDFIXTT52N30P數據表 封面
IXTT52N30P數據表 頁面 2 IXTT52N30P數據表 頁面 3 IXTT52N30P數據表 頁面 4 IXTT52N30P數據表 頁面 5

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IXTQ52N30P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)52A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs66mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3490pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

650W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2620pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® 1212-8

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系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1570pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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