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IXTQ75N10P

IXTQ75N10P

僅供參考

型號 IXTQ75N10P
PNEDA編號 IXTQ75N10P
描述 MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ75N10P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ75N10P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ75N10P, IXTQ75N10P數據表 (總頁數: 5, 大小: 252.98 KB)
PDFIXTP75N10P數據表 封面
IXTP75N10P數據表 頁面 2 IXTP75N10P數據表 頁面 3 IXTP75N10P數據表 頁面 4 IXTP75N10P數據表 頁面 5

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IXTQ75N10P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs74nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11200pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

694W (Tc)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.95mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

290W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta), 79A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

2.1W (Ta), 30W (Tc)

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