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IXTT12N140

IXTT12N140

僅供參考

型號 IXTT12N140
PNEDA編號 IXTT12N140
描述 MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTT12N140資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTT12N140
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTT12N140, IXTT12N140數據表 (總頁數: 4, 大小: 125.46 KB)
PDFIXTT12N140數據表 封面
IXTT12N140數據表 頁面 2 IXTT12N140數據表 頁面 3 IXTT12N140數據表 頁面 4

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IXTT12N140規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs106nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3720pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)890W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 12V

FET功能

-

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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