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IXTV102N20T

IXTV102N20T

僅供參考

型號 IXTV102N20T
PNEDA編號 IXTV102N20T
描述 MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTV102N20T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTV102N20T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTV102N20T, IXTV102N20T數據表 (總頁數: 5, 大小: 178.16 KB)
PDFIXTV102N20T數據表 封面
IXTV102N20T數據表 頁面 2 IXTV102N20T數據表 頁面 3 IXTV102N20T數據表 頁面 4 IXTV102N20T數據表 頁面 5

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IXTV102N20T規格

制造商IXYS
系列TrenchHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)102A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs114nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)750W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS220
包裝/箱TO-220-3, Short Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8000pF @ 25V

FET功能

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90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

102nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 147W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

715pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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