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IXTV30N60PS

IXTV30N60PS

僅供參考

型號 IXTV30N60PS
PNEDA編號 IXTV30N60PS
描述 MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTV30N60PS資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTV30N60PS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTV30N60PS, IXTV30N60PS數據表 (總頁數: 6, 大小: 352.2 KB)
PDFIXTV30N60PS數據表 封面
IXTV30N60PS數據表 頁面 2 IXTV30N60PS數據表 頁面 3 IXTV30N60PS數據表 頁面 4 IXTV30N60PS數據表 頁面 5 IXTV30N60PS數據表 頁面 6

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IXTV30N60PS規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs82nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5050pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)540W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PLUS-220SMD
包裝/箱PLUS-220SMD

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

380nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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