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IXTY1N80P

IXTY1N80P

僅供參考

型號 IXTY1N80P
PNEDA編號 IXTY1N80P
描述 MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTY1N80P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTY1N80P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTY1N80P, IXTY1N80P數據表 (總頁數: 5, 大小: 161.96 KB)
PDFIXTP1N80P數據表 封面
IXTP1N80P數據表 頁面 2 IXTP1N80P數據表 頁面 3 IXTP1N80P數據表 頁面 4 IXTP1N80P數據表 頁面 5

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IXTY1N80P規格

制造商IXYS
系列Polar™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 400mA, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

84pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

18W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF6611TR1PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4860pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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IXYS

制造商

IXYS

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

705pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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12nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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