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IXXH80N65B4

IXXH80N65B4

僅供參考

型號 IXXH80N65B4
PNEDA編號 IXXH80N65B4
描述 IGBT 650V 160A 625W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,956
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXXH80N65B4資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXXH80N65B4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXXH80N65B4, IXXH80N65B4數據表 (總頁數: 6, 大小: 204.91 KB)
PDFIXXH80N65B4數據表 封面
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IXXH80N65B4規格

制造商IXYS
系列GenX4™, XPT™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)160A
電流-集電極脈沖(Icm)430A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 80A
功率-最大625W
開關能量3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)38ns/120ns
測試條件400V, 80A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 (IXXH)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 60A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 60A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

230A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 32A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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310nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

450ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

305W

開關能量

490µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/175ns

測試條件

400V, 25A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

52ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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