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IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1

僅供參考

型號 IXXN110N65B4H1
PNEDA編號 IXXN110N65B4H1
描述 IGBT 650V 215A 750W SOT227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 9,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXXN110N65B4H1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXXN110N65B4H1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXXN110N65B4H1, IXXN110N65B4H1數據表 (總頁數: 7, 大小: 217.06 KB)
PDFIXXN110N65B4H1數據表 封面
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IXXN110N65B4H1規格

制造商IXYS
系列GenX4™, XPT™
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)215A
功率-最大750W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 110A
當前-集電極截止(最大值)50µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.65nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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輸入電容(Cies)@ Vce

3.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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200A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

35nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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145A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

25µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.93nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Yes

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