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IXYA20N65C3D1

IXYA20N65C3D1

僅供參考

型號 IXYA20N65C3D1
PNEDA編號 IXYA20N65C3D1
描述 IGBT
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXYA20N65C3D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXYA20N65C3D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXYA20N65C3D1, IXYA20N65C3D1數據表 (總頁數: 7, 大小: 242.63 KB)
PDFIXYA20N65C3D1數據表 封面
IXYA20N65C3D1數據表 頁面 2 IXYA20N65C3D1數據表 頁面 3 IXYA20N65C3D1數據表 頁面 4 IXYA20N65C3D1數據表 頁面 5 IXYA20N65C3D1數據表 頁面 6 IXYA20N65C3D1數據表 頁面 7

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IXYA20N65C3D1規格

制造商IXYS
系列XPT™, GenX3™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)105A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 20A
功率-最大200W
開關能量430µJ (on), 650µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用30nC
25°C時的Td(開/關)19ns/80ns
測試條件400V, 20A, 20Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)34ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AA

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600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

功率-最大

170W

開關能量

1.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

190nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/110ns

測試條件

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

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-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

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開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

38A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

125W

開關能量

1.1mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

390V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

58A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 16A

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開關能量

360µJ (on), 510µJ (off)

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Standard

門禁費用

67nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/130ns

測試條件

480V, 16A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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