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IXYN82N120C3H1

IXYN82N120C3H1

僅供參考

型號 IXYN82N120C3H1
PNEDA編號 IXYN82N120C3H1
描述 IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXYN82N120C3H1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXYN82N120C3H1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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IXYN82N120C3H1規格

制造商IXYS
系列XPT™, GenX3™
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)105A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 82A
當前-集電極截止(最大值)50µA
輸入電容(Cies)@ Vce4060pF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1500A

功率-最大

9800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.65V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

97nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

59nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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Module

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

300W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

320W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

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系列

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IGBT類型

PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

360A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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