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IXYP10N65C3

IXYP10N65C3

僅供參考

型號 IXYP10N65C3
PNEDA編號 IXYP10N65C3
描述 IGBT 650V 30A 160W TO220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXYP10N65C3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXYP10N65C3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXYP10N65C3, IXYP10N65C3數據表 (總頁數: 6, 大小: 206.31 KB)
PDFIXYP10N65C3數據表 封面
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IXYP10N65C3規格

制造商IXYS
系列GenX3™, XPT™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)54A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 10A
功率-最大160W
開關能量240µJ (on), 110µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用18nC
25°C時的Td(開/關)20ns/77ns
測試條件400V, 10A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 35A

功率-最大

400W

開關能量

900µJ (on), 3.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/270ns

測試條件

960V, 35A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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ON Semiconductor

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

330A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 15V, 20A

功率-最大

223W

開關能量

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Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 10A

功率-最大

110W

開關能量

270µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

62nC

25°C時的Td(開/關)

-/170ns

測試條件

400V, 10A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 4A

功率-最大

58W

開關能量

140µJ (on), 62µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

9nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/120ns

測試條件

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

48ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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