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IXYP10N65C3D1M

IXYP10N65C3D1M

僅供參考

型號 IXYP10N65C3D1M
PNEDA編號 IXYP10N65C3D1M
描述 IGBT
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXYP10N65C3D1M資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXYP10N65C3D1M
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXYP10N65C3D1M規格

制造商IXYS
系列XPT™, GenX3™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 10A
功率-最大53W
開關能量240µJ (on), 170µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用18nC
25°C時的Td(開/關)20ns/77ns
測試條件400V, 10A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)26ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供應商設備包裝TO-220 Isolated Tab

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

功率-最大

260W

開關能量

2.6mJ (on), 1.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

415nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

54A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/96ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 5V, 14A

功率-最大

125W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

27nC

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