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IXYX200N65B3

IXYX200N65B3

僅供參考

型號 IXYX200N65B3
PNEDA編號 IXYX200N65B3
描述 IGBT
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXYX200N65B3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXYX200N65B3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXYX200N65B3規格

制造商IXYS
系列XPT™, GenX3™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)410A
電流-集電極脈沖(Icm)1100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.7V @ 15V, 100A
功率-最大1560W
開關能量5mJ (on), 4mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用340nC
25°C時的Td(開/關)60ns/370ns
測試條件400V, 100A, 0Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)108ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PLUS247™-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 27A

功率-最大

200W

開關能量

120µJ (on), 540µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

180nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/170ns

測試條件

480V, 27A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

22A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.3V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

450µJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

28nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/93ns

測試條件

960V, 5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

100µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/86ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 4V, 200A

功率-最大

1W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

3.1µs/2µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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