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IXZH16N60

IXZH16N60

僅供參考

型號 IXZH16N60
PNEDA編號 IXZH16N60
描述 RF MOSFET 600V 18A TO-247
制造商 IXYS-RF
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXZH16N60資源

品牌 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXZH16N60
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
IXZH16N60, IXZH16N60數據表 (總頁數: 4, 大小: 393.34 KB)
PDFIXZH16N60數據表 封面
IXZH16N60數據表 頁面 2 IXZH16N60數據表 頁面 3 IXZH16N60數據表 頁面 4

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IXZH16N60規格

制造商IXYS-RF
系列-
晶體管類型N-Channel
頻率-
增益-
電壓-測試-
額定電流(安培)1mA
噪聲系數-
當前-測試-
功率-輸出350W
電壓-額定600V
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD

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噪聲系數

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功率-輸出

300W

電壓-額定

1000V

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-264

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.14GHz

增益

13dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

250mA

功率-輸出

30W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-400

供應商設備包裝

NI-400

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

748MHz

增益

19.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

50W

電壓-額定

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供應商設備包裝

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MAGX-001214-650L00

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制造商

M/A-Com Technology Solutions

系列

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晶體管類型

HEMT

頻率

1.2GHz ~ 1.4GHz

增益

19.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

27A

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

500W

電壓-額定

65V

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.03GHz ~ 1.09GHz

增益

19.2dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

770W

電壓-額定

105V

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供應商設備包裝

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