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J109_D27Z

J109_D27Z

僅供參考

型號 J109_D27Z
PNEDA編號 J109_D27Z
描述 JFET N-CH 25V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J109_D27Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J109_D27Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J109_D27Z, J109_D27Z數據表 (總頁數: 7, 大小: 129.73 KB)
PDFJ108_D74Z數據表 封面
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J109_D27Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)40mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)12 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2.6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

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