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J113

J113

僅供參考

型號 J113
PNEDA編號 J113
描述 JFET N-CH 35V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.1413
500 ---------- $0.1347
1,000 ---------- $0.1281
2,500 ---------- $0.1214
5,000 ---------- $0.1159
10,000 ---------- $0.1104
庫存 26,631
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J113資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J113
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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J113規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)2mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID500mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)100 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

SMV

PF53012

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.7V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

NSVJ6904DSB6T1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

2 N-Channel (Dual)

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 5V

電阻-RDS(On)

78 mOhms

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 15V

電阻-RDS(On)

150 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

TF252-5-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

210µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.1pF @ 2V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

30mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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