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J113,126

J113,126

僅供參考

型號 J113,126
PNEDA編號 J113-126
描述 JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J113資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J113,126
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J113, J113數據表 (總頁數: 6, 大小: 31.88 KB)
PDFJ112數據表 封面
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J113規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)2mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID500mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)100 Ohms
功率-最大400mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-206AA (TO-18)

MCH5908H-TL-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

16mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

5-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

5-MCPH

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-206AF (TO-72)

MMBF4091

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

140µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.1pF @ 2V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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