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J113-D74Z

J113-D74Z

僅供參考

型號 J113-D74Z
PNEDA編號 J113-D74Z
描述 JFET N-CH 35V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 108,066
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 26 - 三月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J113-D74Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J113-D74Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J113-D74Z, J113-D74Z數據表 (總頁數: 10, 大小: 414.38 KB)
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J113-D74Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)2mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID500mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)100 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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30µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

15mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

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-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

625mW

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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