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J202_D27Z

J202_D27Z

僅供參考

型號 J202_D27Z
PNEDA編號 J202_D27Z
描述 JFET N-CH 40V 0.625W TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 27 - 三月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J202_D27Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J202_D27Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J202_D27Z, J202_D27Z數據表 (總頁數: 8, 大小: 783.36 KB)
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J202_D27Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)900µA @ 20V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID800mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

80 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

40mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

12 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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