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JAN1N4150-1

JAN1N4150-1

僅供參考

型號 JAN1N4150-1
PNEDA編號 JAN1N4150-1
描述 DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 14,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N4150-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N4150-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N4150-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/231
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

8A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

70µA @ 600V

電容@ Vr,F

240pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

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