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JAN1N5519DUR-1

JAN1N5519DUR-1

僅供參考

型號 JAN1N5519DUR-1
PNEDA編號 JAN1N5519DUR-1
描述 DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5519DUR-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5519DUR-1
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JAN1N5519DUR-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/437
電壓-齊納(額定)(Vz)3.6V
公差±1%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)24 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA

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阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

3.9V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

0.16 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 500mV

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

110 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

30V

公差

±5%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

75 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

45nA @ 21V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-90, SOD-323F

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功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

67 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 35.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

-55°C ~ 150°C

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