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JAN1N5525BUR-1

JAN1N5525BUR-1

僅供參考

型號 JAN1N5525BUR-1
PNEDA編號 JAN1N5525BUR-1
描述 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5525BUR-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5525BUR-1
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JAN1N5525BUR-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/437
電壓-齊納(額定)(Vz)6.2V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 29.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

11V

公差

±2%

功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 8.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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電壓-齊納(額定)(Vz)

6.8V

公差

±5%

功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 4.08V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SQ-MELF, A

供應商設備包裝

D-5A

TZS4695-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

8.7V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 6.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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