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JAN1N5550

JAN1N5550

僅供參考

型號 JAN1N5550
PNEDA編號 JAN1N5550
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $27.3381
100 ---------- $26.0566
250 ---------- $24.7752
500 ---------- $23.4937
750 ---------- $22.4258
1,000 ---------- $21.3579
庫存 521
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5550資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5550
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5550規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/420
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 9A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱B, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1650V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 175V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

450ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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