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JAN1N5554US

JAN1N5554US

僅供參考

型號 JAN1N5554US
PNEDA編號 JAN1N5554US
描述 DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5554US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5554US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5554US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/420
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 9A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

175V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 175V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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