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JAN1N5616

JAN1N5616

僅供參考

型號 JAN1N5616
PNEDA編號 JAN1N5616
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5616資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5616
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5616規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/427
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱A, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電流-平均整流(Io)

3A

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620mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

28A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 200V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AC, SMA

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