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JAN1N647-1

JAN1N647-1

僅供參考

型號 JAN1N647-1
PNEDA編號 JAN1N647-1
描述 DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N647-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N647-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
JAN1N647-1, JAN1N647-1數據表 (總頁數: 1, 大小: 75.11 KB)
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JAN1N647-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)400mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 400mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 175V

電容@ Vr,F

6pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

175°C (Max)

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制造商

Micro Commercial Co

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商設備包裝

Mini MELF

工作溫度-結點

175°C (Max)

VS-15EWX06FNTRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.2V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-PAK (TO-252AA)

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

640mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

2050pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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