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JAN1N6620US

JAN1N6620US

僅供參考

型號 JAN1N6620US
PNEDA編號 JAN1N6620US
描述 DIODE GEN PURP 220V 2A D5A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6620US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6620US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N6620US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/585
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)220V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 220V
電容@ Vr,F10pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 630A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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