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JAN1N6622US

JAN1N6622US

僅供參考

型號 JAN1N6622US
PNEDA編號 JAN1N6622US
描述 DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6622US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6622US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N6622US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/585
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)660V
電流-平均整流(Io)1.2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1.2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 660V
電容@ Vr,F10pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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600mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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二極管類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

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制造商

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二極管類型

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45V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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