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JAN1N6640US

JAN1N6640US

僅供參考

型號 JAN1N6640US
PNEDA編號 JAN1N6640US
描述 DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6640US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6640US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N6640US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/609
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)300mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 300mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

275µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard

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800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

Axial

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

V3FM15HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.24V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

85µA @ 150V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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二極管類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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