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JAN1N6641US

JAN1N6641US

僅供參考

型號 JAN1N6641US
PNEDA編號 JAN1N6641US
描述 DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6641US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6641US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N6641US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/609
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)300mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 300mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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100V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

540mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 15V

電容@ Vr,F

29pF @ 5V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

8ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 20V

電容@ Vr,F

12pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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