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JAN2N2920L

JAN2N2920L

僅供參考

型號 JAN2N2920L
PNEDA編號 JAN2N2920L
描述 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N2920L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N2920L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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JAN2N2920L規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/355
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

300nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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Through Hole

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V

功率-最大

300mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/559

晶體管類型

4 NPN (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

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