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JAN2N3879

JAN2N3879

僅供參考

型號 JAN2N3879
PNEDA編號 JAN2N3879
描述 TRANS NPN 75V 7A TO-66
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3879資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3879
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3879規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/526
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)75V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)25mA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 5V
功率-最大35W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝TO-66 (TO-213AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 6V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

50W

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

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