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JAN2N5302

JAN2N5302

僅供參考

型號 JAN2N5302
PNEDA編號 JAN2N5302
描述 TRANS NPN 60V 30A TO-3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N5302資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N5302
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N5302規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/456
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 6A, 30A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 15A, 2V
功率-最大5W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-3 (TO-204AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 6.25A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10A, 4V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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TO-204AA, TO-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 3A, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

215 @ 2mA, 5V

功率-最大

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