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JAN2N6350

JAN2N6350

僅供參考

型號 JAN2N6350
PNEDA編號 JAN2N6350
描述 TRANS NPN DARL 80V 5A TO33
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N6350資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N6350
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N6350規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/472
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 5mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 5A, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
供應商設備包裝TO-33

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

ZTX712

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.25V @ 8mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2A, 3V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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