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JANSR2N2920U

JANSR2N2920U

僅供參考

型號 JANSR2N2920U
PNEDA編號 JANSR2N2920U
描述 RH SMALL-SIGNAL BJT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANSR2N2920U資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANSR2N2920U
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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JANSR2N2920U規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/355
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, No Lead
供應商設備包裝6-SMD

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

120mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 50mA, 3V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 10mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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