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JANTX1N5418US

JANTX1N5418US

僅供參考

型號 JANTX1N5418US
PNEDA編號 JANTX1N5418US
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX1N5418US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX1N5418US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTX1N5418US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/411
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 9A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 15V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.43V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 150V

電容@ Vr,F

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790mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 100V

電容@ Vr,F

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