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JANTX1N5618US

JANTX1N5618US

僅供參考

型號 JANTX1N5618US
PNEDA編號 JANTX1N5618US
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $121.8382
50 ---------- $116.1270
100 ---------- $110.4159
200 ---------- $104.7047
400 ---------- $99.9454
500 ---------- $95.1861
庫存 2,651
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX1N5618US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX1N5618US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTX1N5618US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/427
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

100mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

0.9pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

590mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

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