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JANTX1N6629US

JANTX1N6629US

僅供參考

型號 JANTX1N6629US
PNEDA編號 JANTX1N6629US
描述 DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX1N6629US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX1N6629US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTX1N6629US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/590
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)880V
電流-平均整流(Io)1.4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1.4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 880V
電容@ Vr,F40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, E
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

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