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JANTX2N3251AUB

JANTX2N3251AUB

僅供參考

型號 JANTX2N3251AUB
PNEDA編號 JANTX2N3251AUB
描述 TRANS PNP 60V 0.2A TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3251AUB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3251AUB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3251AUB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/323
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大360mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝UB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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370V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 3mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7000 @ 1A, 5V

功率-最大

55W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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