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JANTX2N3506

JANTX2N3506

僅供參考

型號 JANTX2N3506
PNEDA編號 JANTX2N3506
描述 TRANS NPN 40V 3A TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3506資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3506
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3506規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/349
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 250mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 1.5A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.8W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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1A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.1V @ 200µA, 200mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 200mA, 5V

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

112 @ 50mA, 1V

功率-最大

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