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JANTX2N3737UB

JANTX2N3737UB

僅供參考

型號 JANTX2N3737UB
PNEDA編號 JANTX2N3737UB
描述 TRANS NPN 40V 1.5A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3737UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3737UB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3737UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/395
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic900mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 1A, 1.5V
功率-最大500mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, No Lead
供應商設備包裝UB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3A, 12A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5A, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 3A, 1V

功率-最大

100W

頻率-過渡

14MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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